特許
J-GLOBAL ID:201403068421881641
硫化物固体電解質材料の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山下 昭彦
, 岸本 達人
, 山本 典輝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-179868
公開番号(公開出願番号):特開2014-038755
出願日: 2012年08月14日
公開日(公表日): 2014年02月27日
要約:
【課題】本発明は、高いLiイオン伝導度を有する硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、Li2S、A(Aは、P、Si、Ge、AlおよびBの少なくとも一種である)の硫化物、およびLiX(Xはハロゲンである)を含有する原料組成物を非晶質化し、硫化物ガラスを合成する非晶質化工程と、上記硫化物ガラスを結晶化温度以上の温度で加熱し、1K・s-1以上の冷却速度で冷却し、CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=20.2°、23.6°にピークを有するガラスセラミックスを合成する合成工程と、を有し、上記原料組成物に含まれる上記LiXの割合、および、上記合成工程における加熱温度および加熱時間を、上記ガラスセラミックスが得られるように調整することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
Li2S、A(Aは、P、Si、Ge、AlおよびBの少なくとも一種である)の硫化物、およびLiX(Xはハロゲンである)を含有する原料組成物を非晶質化し、硫化物ガラスを合成する非晶質化工程と、
前記硫化物ガラスを結晶化温度以上の温度で加熱し、1K・s-1以上の冷却速度で冷却し、CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=20.2°、23.6°にピークを有するガラスセラミックスを合成する合成工程と、
を有し、
前記原料組成物に含まれる前記LiXの割合、および、前記合成工程における加熱温度および加熱時間を、前記ガラスセラミックスが得られるように調整することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。
IPC (5件):
H01M 10/056
, H01M 10/058
, H01B 13/00
, C04B 35/547
, H01M 4/62
FI (5件):
H01M10/0562
, H01M10/058
, H01B13/00 Z
, C04B35/00 T
, H01M4/62 Z
Fターム (38件):
4G030AA55
, 4G030AA58
, 4G030AA67
, 4G030BA03
, 4G030CA01
, 4G030GA01
, 4G030GA03
, 4G030GA04
, 4G030GA09
, 4G030GA17
, 4G030GA36
, 5H029AJ06
, 5H029AK01
, 5H029AK03
, 5H029AL08
, 5H029AL11
, 5H029AM12
, 5H029CJ01
, 5H029CJ02
, 5H029HJ02
, 5H029HJ13
, 5H029HJ14
, 5H050AA12
, 5H050BA16
, 5H050CA01
, 5H050CA07
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CB09
, 5H050CB11
, 5H050DA09
, 5H050EA13
, 5H050EA14
, 5H050GA01
, 5H050GA02
, 5H050HA02
, 5H050HA13
, 5H050HA14
引用特許:
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