放射放出半導体チップ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：アインゼル・フェリックス=ラインハルト , 久野琢也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-269316
公開番号（公開出願番号）：特開2014-057113
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：

【課題】本願発明で解決すべき課題は、光取り出し効率が改善された放射放出半導体チップを提供することである。【解決手段】本発明は、波長λの放射を生成するための活性ゾーン(2)と、不規則に配置されたパターンエレメントを有するパターニング領域(3)とを有する放射放出半導体チップ(1)であって、前記パターンエレメントは第1の屈折率n1を有する第1の材料を含み、第2の屈折率n2を有する第2の材料を含む媒質によって包囲されている放射放出半導体チップに関する。さらに本発明は、放射放出半導体チップの製造方法にも関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

・波長λの放射を生成するための活性ゾーン(2)と、・不規則に配置されたパターンエレメントを有するパターニング領域(3) とを有する放射放出半導体チップ(1)において、前記パターンエレメントは第1の屈折率n1を有する第1の材料を含み、第2の屈折率n2を有する第2の材料を含む媒質によって覆われており、前記パターンエレメントと前記媒質を有する中間層の厚さは、該パターンエレメントの最大高さに相応し、前記中間層の有効屈折率neffには、n2<neff<n1が適用され、前記パターンエレメントの各基面の基面幅gは、各パターンエレメントの高さhより大きく、前記基面幅gは、各パターンエレメントの基面の最長寸法であり、前記高さhは、前記基面を出発点とし当該基面に対して垂直な前記パターンエレメントの前記最長寸法であり、前記パターンエレメントの各幅bはb≦λであり、該パターンエレメントの相互間の間隔aはa≦λである、ことを特徴とする、放射放出半導体チップ。

IPC (1件)：

H01S 5/22

FI (1件)：

H01S5/22

Fターム (5件)：

5F173AA08 , 5F173AD05 , 5F173AG01 , 5F173AG22 , 5F173AR12

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-056085 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-324891 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭60-218893

全件表示

前のページに戻る