特許

J-GLOBAL ID：201403069768508246

反射型マスクの製造方法

発明者： 古溝 透
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-240434
公開番号（公開出願番号）：特開2014-090131
出願日： 2012年10月31日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
要約：

【課題】基板表面に多層反射層を形成し、吸収層によるパターンを形成する反射型マスクの製造方法において、位相欠陥を正確に回避できる反射型マスクの製造方法を提供する。【解決手段】基板表面に形成された多層反射層上にフィディシャルマークを形成し、フィディシャルマークを利用して位置合わせをし、多層反射層上を基板検査して正確な位相欠陥位置を測定し、吸収層によって形成されるパターンが、位相欠陥位置を含むように、パターンのデータをシフトするシフト量を算出し、多層反射層上にレジストを形成し、パターンデータをシフトして露光して現像し、レジストパターンを形成し、吸収層を形成し、レジストパターンを剥離し吸収層によるパターンを形成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板表面に多層反射層を形成し、吸収層によるパターンを形成する反射型マスクの製造方法において、 基板表面に形成された多層反射層上にフィディシャルマークを形成し、 フィディシャルマークを利用して位置合わせをし、多層反射層上を基板検査して正確な位相欠陥位置を測定し、 吸収層によって形成されるパターンが、位相欠陥位置を含むように、パターンのデータをシフトするシフト量を算出し、 多層反射層上にレジストを形成し、パターンデータをシフトして露光して現像し、レジストパターンを形成し、 吸収層を形成し、レジストパターンを剥離し吸収層によるパターンを形成する ことを特徴とする反射型マスクの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/24 ,  G03F 1/42

FI (3件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/24 ,  G03F1/42

Fターム (11件)：

2H095BA10 ,  2H095BB10 ,  2H095BB14 ,  2H095BB31 ,  2H095BD02 ,  5F146GA21 ,  5F146GA28 ,  5F146GD11 ,  5F146GD15 ,  5F146GD17 ,  5F146GD22