特許

J-GLOBAL ID：201403069907897996

炭化珪素ダイオード、炭化珪素トランジスタおよび炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 和田 圭司 ,  増田 健良
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-285143
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127660
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：

【課題】p型領域と電極との接触抵抗を低減可能な炭化珪素ダイオード、炭化珪素トランジスタおよび炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1の製造方法は以下の工程を有している。p型領域2aおよびp型領域2aと接するn型領域14とを含む炭化珪素基板10が準備される。ハロゲン元素を含む雰囲気ガス中でp型領域2aを加熱することにより、p型領域2aと接する炭素領域6が形成される。炭素領域6に接する第1の金属層5が形成される。炭素領域6および第1の金属層5を加熱することによりp型領域2aと接する電極8が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型領域および前記p型領域と接するn型領域とを含む炭化珪素基板を準備する工程と、 ハロゲン元素を含む雰囲気ガス中で前記p型領域を加熱することにより、前記p型領域と接する炭素領域を形成する工程と、 前記炭素領域に接する第1の金属層を形成する工程と、 前記炭素領域および前記第1の金属層を加熱することにより前記p型領域と接する電極を形成する工程とを備えた、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739

FI (10件)：

H01L21/28 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 P ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 655A

Fターム (30件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD96 ,  4M104EE06 ,  4M104EE09 ,  4M104FF02 ,  4M104FF07 ,  4M104FF27 ,  4M104FF32 ,  4M104FF34 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15