特許

J-GLOBAL ID：201403070364495785

太陽電池とその製造方法

発明者： 佐野 雄一 ,  織田 明博 ,  金子 誠二 ,  小出 直城 ,  東 賢一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-212518
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067881
出願日： 2012年09月26日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

【課題】光電子の取り出し効率に優れ、短絡電流密度および曲線因子が大きな太陽電池を提供する。【解決手段】基板200上に、第1透明導電膜300と、光電変換層400と、第2透明導電膜500とが順次設けられている。太陽電池100は、光が第2透明導電膜500側から入射されて作動する、または、光が基板200側と第2透明導電膜500側との両方から入射されて作動する。第1透明導電膜300および第2透明導電膜500は、それぞれ、InとGaとZnとを含む非晶質酸化物からなる。第1透明導電膜300では、In/Gaが組成比として1であり、Zn/Gaが組成比として1である。第2透明導電膜500では、In/Gaが組成比として1≦In/Ga≦4を満たし、Zn/Gaが組成比として1≦Zn/Ga≦4を満たす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、第1透明導電膜と、光電変換層と、第2透明導電膜とが順次設けられた太陽電池であって、 光が前記第2透明導電膜側から入射されて作動する、または、光が前記基板側と前記第2透明導電膜側との両方から入射されて作動し、 前記第1透明導電膜および前記第2透明導電膜は、それぞれ、InとGaとZnとを含む非晶質酸化物からなり、 前記第1透明導電膜では、In/Gaが組成比として1であり、Zn/Gaが組成比として1であり、 前記第2透明導電膜では、In/Gaが組成比として1≦In/Ga≦4を満たし、Zn/Gaが組成比として1≦Zn/Ga≦4を満たす太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (4件)：

5F151AA10 ,  5F151CB11 ,  5F151FA02 ,  5F151GA03