特許
J-GLOBAL ID：201403070427876245

スイッチング回路

発明者：
永木 敏一

永木 敏一 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (4件)： 板谷 康夫 ,  田口 勝美 ,  水田 愼一 ,  板谷 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-156909
公開番号（公開出願番号）：特開2014-023190
出願日： 2012年07月12日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：
【課題】IGBTをスイッチング素子として用いた双方向DC/DCコンバータなどにおいて、簡単な構造により、IGBTのスイッチオフ損失を低減する。【解決手段】IGBTスイッチ6aと8aの直列回路と、IGBTスイッチ6bと8bの直列回路の、各接続点の間に、逆接続された2つのFETスイッチ10a及び10bで構成された双方向スイッチ10を接続し、いずれかのIGBTスイッチをオフする前に双方向スイッチ10をオンし、その後双方向スイッチ10をオフし、IGBTスイッチのオフ時のスイッチオフ損失をFETスイッチのスイッチオフ損失に置き換える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
逆並列ダイオードが接続され、昇圧動作時にオフされる第1のIGBTスイッチと、逆並列ダイオードが接続され、降圧動作時にオフされる第2のIGBTスイッチを備え、前記第1のIGBTスイッチのエミッタと前記第2のIGBTスイッチのコレクタが接続された第1及び第2のIGBT直列回路を有し、前記第1のIGBTスイッチのコレクタ同士が高電圧入出力端子の高電圧端子に接続され、前記第2のIGBTスイッチのエミッタ同士が高電圧入出力端子の低電圧端子に接続されたスイッチング回路であって、 前記第1のIGBT直列回路の前記第1のIGBTスイッチのエミッタと前記第2のIGBTスイッチのコレクタの接続点と、前記第2のIGBT直列回路の前記第1のIGBTスイッチのエミッタと前記第2のIGBTスイッチのコレクタの接続点と間に、IGBTスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第1の双方向スイッチが接続され、 前記第1及び第2のIGBT直列回路の前記第1のIGBTスイッチ及び前記第2のIGBTスイッチのうち、いずれかのIGBTスイッチをオフする際に、前記第1の双方向スイッチのオン及びオフ動作を併用することを特徴とするスイッチング回路。
IPC (2件)：
H02M 3/155 ,  H02M 7/12
FI (3件)：
H02M3/155 W ,  H02M7/12 K ,  H02M3/155 S
Fターム (18件)：
5H006CA01 ,  5H006CA02 ,  5H006CA12 ,  5H006CB01 ,  5H006CB08 ,  5H730AA14 ,  5H730AS04 ,  5H730AS08 ,  5H730BB13 ,  5H730BB14 ,  5H730BB83 ,  5H730BB89 ,  5H730BB98 ,  5H730DD03 ,  5H730DD04 ,  5H730DD12 ,  5H730DD32 ,  5H730DD41
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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