特許

J-GLOBAL ID：201403070806093045

半導体装置

発明者： 木村 肇 ,  山田 智子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-105960
公開番号（公開出願番号）：特開2013-231971
特許番号：特許第5502224号
出願日： 2013年05月20日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1のトランジスタのゲート電極として機能する部分を含む第1の導電層と、 前記第1のトランジスタの第1の電極として機能する部分を含む第2の導電層と、 前記第1のトランジスタの第2の電極として機能する部分、容量素子の第1の電極として機能する部分、及び第4のトランジスタの第1の電極として機能する部分を含む第3の導電層と、 前記容量素子の第2の電極として機能する部分、第5のトランジスタのゲート電極として機能する部分を含む第4の導電層と、 第3のトランジスタの第1の電極として機能する部分を含む第5の導電層と、 前記第5のトランジスタの第1の電極として機能する部分を有する第6の導電層と、 前記第5のトランジスタの第2の電極として機能する部分、前記第3のトランジスタの第2の電極として機能する部分、及び第2のトランジスタの第1の電極として機能する部分を含む第7の導電層と、 前記第2のトランジスタの第2の電極として機能する部分を含む第8の導電層と、 前記第2のトランジスタのゲート電極として機能する部分を含む第9の導電層と、 前記第3のトランジスタのゲート電極として機能する部分、前記第4のトランジスタのゲート電極として機能する部分を含む第10の導電層と、 前記第4のトランジスタの第2の電極として機能する部分を含む第11の導電層と、を有し、 前記第4の導電層は、前記第5の導電層と電気的に接続され、 前記第6の導電層は、発光素子の画素電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 27/32 ( 200 6.01) ,  G09G 3/20 ( 200 6.01) ,  G09G 3/30 ( 200 6.01)

FI (6件)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09G 3/20 670 J ,  G09G 3/20 611 H ,  G09G 3/20 642 A ,  G09G 3/30 K