特許
J-GLOBAL ID：201403071014203508

エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ

発明者：
楢原 和宏

楢原 和宏 について

, 
増田 純久

増田 純久 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  川原 敬祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-177317
公開番号（公開出願番号）：特開2014-036153
出願日： 2012年08月09日
公開日（公表日）： 2014年02月24日
要約：
【課題】周縁部における平坦度が高いエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびこれにより得られるエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。【解決手段】おもて面23の面方位が(100)面または(110)面であり、おもて面23側の端部の面取り幅A1が200μm以下であるシリコンウェーハ2のおもて面23上にエピタキシャル層3を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
片面の面方位が(100)面または(110)面であり、該片面側の端部の面取り幅が200μm以下であるシリコンウェーハの、前記片面上にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (11件)：
5F045AA01 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB02 ,  5F045DA67 ,  5F045EB15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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