特許

J-GLOBAL ID：201403071275857238

薄膜トランジスタの酸化物半導体層の製造方法

発明者： 前田 剛彰 ,  平野 貴之 ,  小林 明
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (5件)： 植木 久一 ,  植木 久彦 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰 ,  植村 純子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-212056
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067856
出願日： 2012年09月26日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

【課題】良好なTFT特性(特には高い電界効果移動度)を示す酸化物半導体層を形成するため、比較的低温で成膜できるスパッタリング法を提供する。【解決手段】酸化物半導体層は、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む酸化物から構成されるものであり、直流(DC)パルススパッタリング法を用いて、スパッタリングターゲットに印加する電力のデューティー比を60%以下として、薄膜トランジスタの酸化物半導体層を成膜する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

直流(DC)パルススパッタリング法を用いて酸化物半導体層を成膜することを特徴とする薄膜トランジスタの酸化物半導体層の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/363

Fターム (42件)：

5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL13 ,  5F103NN10 ,  5F103RR10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35