光半導体装置用封止剤及び光半導体装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人宮▲崎▼・目次特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012056820
公開番号（公開出願番号）：WO2012-157330
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：

硬化性に優れており、かつ保存安定性に優れており、更に硬化した封止剤の耐熱性が高い光半導体装置用封止剤を提供する。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、下記式(1A)で表され、かつアリール基及びアルケニル基を有する第1のオルガノポリシロキサンと、下記式(51)で表され、かつアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記第2のオルガノポリシロキサンにおけるアリール基の含有比率はそれぞれ、30モル%以上、70モル%以下である。【化1】

請求項（抜粋）：

下記式(1A)で表され、かつアリール基及びアルケニル基を有する第1のオルガノポリシロキサンと、下記式(51)で表され、かつアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、前記第1のオルガノポリシロキサン及び前記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式(X)より求められるアリール基の含有比率がそれぞれ、30モル%以上、70モル%以下である、光半導体装置用封止剤。

IPC (4件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , C08L 83/05 , C08L 83/07

FI (3件)：

H01L23/30 F , C08L83/05 , C08L83/07

Fターム (15件)：

4J002CP04W , 4J002CP14X , 4J002DA116 , 4J002DE186 , 4J002EZ006 , 4J002FD010 , 4J002FD090 , 4J002FD146 , 4J002GQ05 , 4M109AA01 , 4M109EA10 , 4M109EC05 , 4M109EC11 , 4M109EC15 , 4M109GA01

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