特許
J-GLOBAL ID：201403071695351887
酸化亜鉛(ZnO)系結晶のドーピング方法及び半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-210522
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067776
出願日： 2012年09月25日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：
【目的】 ZnO系結晶中の拡散濃度、拡散深さ等の拡散プロファイルの制御性に優れた拡散が可能なドーピング方法、及び拡散濃度制御性に優れた、良好な特性の半導体素子を提供する。【解決手段】 n型ZnO基板上にZnO系結晶層を成長した成長層付き基板を不活性ガス雰囲気又は酸素を加えた不活性ガス雰囲気の下において700°Cないし1000°Cの温度範囲内でプレアニールする工程と、I族元素を構成元素として含有する炭酸塩を拡散剤とし、ZnO系結晶層上に拡散剤の水溶液を塗布し、乾燥によって固着させて拡散剤の堆積層を形成する工程と、拡散剤の堆積層が形成された成長層付き基板を熱処理し、I族元素を拡散する工程と、を有している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
n型ZnO基板上にZnO系結晶層を成長した成長層付き基板を不活性ガス雰囲気又は酸素を加えた不活性ガス雰囲気の下において700°Cないし1000°Cの温度範囲内でプレアニールする工程と、
I族元素を構成元素として含有する炭酸塩を拡散剤とし、前記ZnO系結晶層上に前記拡散剤の水溶液を塗布し、乾燥によって固着させて前記拡散剤の堆積層を形成する工程と、
前記拡散剤の前記堆積層が形成された前記成長層付き基板を熱処理し、前記I族元素を拡散する工程と、
を有することを特徴とするドーピング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/385
, H01L 33/28
, H01L 21/22
, H01L 21/225
H01L21/385
, H01L33/00 182
, H01L21/22 C
, H01L21/225 D
, H01L21/225 R
5F141AA31
, 5F141CA02
, 5F141CA03
, 5F141CA23
, 5F141CA41
, 5F141CA49
, 5F141CA57
, 5F141CA58
, 5F141CA65
, 5F141CA72
, 5F141CA73
