特許

J-GLOBAL ID：201403071731480907

半導体ウェハ及び半導体装置の製造方法

発明者： 平林 誠滋
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-164720
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027048
出願日： 2012年07月25日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：

【課題】半導体ウェハの反りを低減すること。【解決手段】実施の形態に係る半導体ウェハは、半導体基板19上に複数のチップが形成された半導体ウェハであって、複数のチップ11それぞれの70%以上の面積に形成されたソースパッド金属14と、ソースパッド金属14の一部を覆うパッシベーション膜16とを備えている。ソースパッド金属14のパッシベーション膜16で覆われていない第1部分は、パッシベーション膜16で覆われている第2部分よりも薄いものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数のチップが形成された半導体ウェハであって、 前記複数のチップそれぞれの70%以上の面積に形成されたパッド金属と、 前記パッド金属の一部を覆う絶縁膜とを備え、 前記パッド金属の前記絶縁膜で覆われていない第1部分は、前記絶縁膜で覆われている第2部分よりも薄い半導体ウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/88 T ,  H01L21/60 301N

Fターム (15件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ41 ,  5F033UU03 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033XX08 ,  5F033XX19 ,  5F044EE01