特許

J-GLOBAL ID：201403071870493606

低温熱クリーニングのための方法

発明者： 園部 淳 ,  但木 雄大 ,  重本 隆充 ,  ジャン-マルク・ギラール
出願人/特許権者： レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
代理人 (14件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-284252
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138210
特許番号：特許第5518990号
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体プロセスチャンバーの表面の低温クリーニングのための方法であって、 a) 半導体プロセスチャンバーであって、前記チャンバー内の少なくとも1つの表面上に少なくとも1つの不所望の物質を含む半導体プロセスチャンバーを提供すること、 b) フッ素と一酸化窒素とを含む第1のガス混合物を前処理し、活性なフッ素種を含む前処理された第1のガス混合物を生成すること、 c) 前記前処理された第1のガス混合物をガス貯蔵システムに導入すること、 d)前記前処理された第1のガス混合物を前記チャンバーに流す前の少なくとも12時間の間、前記前処理された第1のガス混合物を前記ガス貯蔵システム中に貯蔵すること、 e) 前記チャンバーの温度を50°C乃至500°Cである第1の温度まで下げること、 f) 前記前処理されたガス混合物を、前記ガス貯蔵システムから前記半導体プロセスチャンバーに導入すること、および g) 少なくとも1つの不所望の物質を、前記チャンバー中にプラズマを発生させることなく、または前記チャンバーの温度を前記第1の温度を超えて上昇させることなく、前記前処理されたガス混合物と前記不所望の物質との間、反応生成物を生成する化学反応により前記チャンバー内の前記表面から取り除くこと を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/44 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 J

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-314711   出願人：株式会社日立製作所
• フッ素利用率を増大させる方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-212544   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-249010   出願人：株式会社東芝, レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード