特許
J-GLOBAL ID:201403072210797480

半導体ブロックの切断方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-069742
公開番号(公開出願番号):特開2014-192513
出願日: 2013年03月28日
公開日(公表日): 2014年10月06日
要約:
【課題】ブロックの表面の研削を効率的に行える半導体ブロックの切断方法を提供すること。【解決手段】接着を予定している第1面が平面状の半導体からなる第1ブロック、および該第1ブロックの前記第1面との接着を予定している第2面が平面状の半導体からなる第2ブロックを用意する準備工程と、前記第1ブロックの前記第1面と前記第2ブロックの前記第2面とを接着させた接着領域を有するメインブロックを作製する接着工程と、前記メインブロックの前記接着領域に交差するように切断することによって、前記メインブロックから複数のサブブロックを作製する切断工程と、該切断工程によって形成されたサブブロックの切断面を研削する研削工程とを備えている半導体ブロックの切断方法とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
接着を予定している第1面が平面状の半導体からなる第1ブロック、および該第1ブロックの前記第1面との接着を予定している第2面が平面状の半導体からなる第2ブロックを用意する準備工程と、 前記第1ブロックの前記第1面と前記第2ブロックの前記第2面とを接着させた接着領域を有するメインブロックを作製する接着工程と、 前記メインブロックの前記接着領域に交差するように切断することによって、前記メインブロックから複数のサブブロックを作製する切断工程と、 該切断工程によって形成されたサブブロックの切断面を研削する研削工程と、 を備えている半導体ブロックの切断方法。
IPC (2件):
H01L 21/304 ,  B28D 5/00
FI (2件):
H01L21/304 601Z ,  B28D5/00 Z
Fターム (11件):
3C069AA01 ,  3C069CA04 ,  3C069CB01 ,  3C069EA01 ,  5F057AA12 ,  5F057BA02 ,  5F057BB03 ,  5F057CA01 ,  5F057CA03 ,  5F057DA11 ,  5F057DA15

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