特許
J-GLOBAL ID:201403072579688110

サトウキビを栽培する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 平木 祐輔 ,  藤田 節 ,  新井 栄一 ,  田中 夏夫 ,  菊田 尚子 ,  藤井 愛 ,  大木 信人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-504333
公開番号(公開出願番号):特表2014-511705
出願日: 2012年04月13日
公開日(公表日): 2014年05月19日
要約:
本発明はサトウキビを栽培する方法であって、成熟サトウキビの茎を茎片に切断するステップ、少なくとも1つの節を含有する茎片を湿潤な培地に植えるステップ、茎のもしくは茎片の節から出芽するシュートを取り除くステップ、任意に、新しく出芽したシュートを取り除くステップ(このステップは1回以上繰り返してもよい)、新しく形成したシュートが10〜60cm長さになると、それらが成長点組織を含むようにして取り除くステップ、これらのシュートを成長培地に植えるステップ、シュートから得た苗を少なくとも15°Cの温度でシュートを植えた後10〜120日、成長させるステップ、ならびに、成長培地が圃場でなければ、シュートから成長した苗を圃場に植えるか、または、成長培地が圃場である場合、シュートから得た苗を周囲条件に曝すステップを含むものである前記方法である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
以下のステップを含むサトウキビの栽培方法: (i) 6〜18月齢のサトウキビ植物の茎を茎片に切断するステップ; (ii) 任意に、ステップ(i)で得た茎片の切断表面を、少なくとも1種の殺菌剤および/または少なくとも1種の殺虫剤および/または少なくとも1種の傷保護剤および/または少なくとも1種の成長調節剤を用いて処理するステップ; (iii) (i)または(ii)で得た少なくとも1つの節を含有するこれらの茎片を、湿潤培地に置くステップ; (iv) 茎片の節から出芽したシュートの頂部を成長点組織上方で切断するステップ; (v) 任意に、ステップ(iv)で得たシュートの切断表面を、少なくとも1種の殺菌剤および/または少なくとも1種の殺虫剤および/または少なくとも1種の成長調節剤を用いて処理するステップ; (vi) 任意に、ステップ(iv)または(v)で得た切断シュートから出芽した新しく形成されたシュートの頂部を、成長点組織上方で切断するステップ; (vii) 任意に、ステップ(vi)で得たシュートの切断表面を、少なくとも1種の殺菌剤および/または少なくとも1種の殺虫剤および/または少なくとも1種の成長調節剤を用いて処理するステップ; (viii) 任意に、ステップ(vi)および任意にまた、ステップ(vii)を1回または数回繰り返すステップ; (ix) ステップ(iv)、(v)、(vi)、(vii)または(viii)で得た切断したシュートから出芽した新しく形成されたシュートが10〜60cm長さになりこれらが少なくとも成長点組織の部分を含んだときに、これらを切断するステップ; (x) 任意に、ステップ(ix)で得たシュートを、少なくとも1種の殺菌剤および/または少なくとも1種の殺虫剤および/または少なくとも1種の殺線虫剤および/または少なくとも1種の成長調節剤を用いて処理するステップ; (xi) ステップ(ix)または(x)で得たシュートを成長培地に植えるステップ; (xii) 任意に、そのシュートおよび/または成長培地を、植える前、または中、または直後に、少なくとも1種の肥料および/または少なくとも1種の殺菌剤および/または少なくとも1種の殺虫剤および/または少なくとも1種の殺線虫剤および/または少なくとも1種の成長調節剤および/または少なくとも1種の超吸収剤および/または少なくとも1種の成長促進菌を用いて処理するステップ; (xiii) シュートからの苗を少なくとも15°Cの温度にて成長させるステップ; (xiv) 任意に、成長中の苗および/またはその成長培地を、少なくとも1種の殺菌剤および/または少なくとも1種の殺虫剤および/または少なくとも1種の殺線虫剤および/または少なくとも1種の成長調節剤および/または少なくとも1種の発根能付与剤および/または成長促進菌を用いて処理するステップ; (xv) 成長培地にシュートを植えた後10〜120日に、もし成長培地が圃場でなければ、シュートから得た苗を圃場(この圃場は任意に少なくとも1種の肥料および/または少なくとも1種の殺菌剤および/または少なくとも1種の殺虫剤および/または少なくとも1種の殺線虫剤および/または少なくとも1種の成長調節剤および/または少なくとも1種の超吸収剤および/または成長促進菌を用いて定植前または中に処理されている)に定植するか、または、もし成長培地が圃場である場合、シュートから得た苗を周囲条件に曝すステップ;ならびに (xvi) 任意に、苗および/または圃場を、圃場に定植中または後にまたは周囲条件に曝した後に、少なくとも1種の肥料および/または少なくとも1種の殺菌剤および/または少なくとも1種の殺虫剤および/または少なくとも1種の殺線虫剤および/または少なくとも1種の成長調節剤および/または少なくとも1種の超吸収剤および/または成長促進菌および/または少なくとも1種の鮮度保持ポリマーを用いて処理するステップ。
IPC (7件):
A01G 1/00 ,  A01N 25/00 ,  A01N 47/24 ,  A01N 47/02 ,  A01P 3/00 ,  A01P 7/04 ,  A01C 1/00
FI (8件):
A01G1/00 301Z ,  A01N25/00 102 ,  A01N47/24 G ,  A01N47/02 ,  A01P3/00 ,  A01P7/04 ,  A01G1/00 302A ,  A01C1/00 B
Fターム (13件):
2B022AA01 ,  2B022AB11 ,  2B022EA01 ,  2B051AA01 ,  2B051AB07 ,  2B051BA02 ,  2B051BB01 ,  2B051BB07 ,  4H011AA01 ,  4H011AC01 ,  4H011BB11 ,  4H011BB13 ,  4H011DD03

前のページに戻る