特許

J-GLOBAL ID：201403073569337979

グラフェン構造の製造方法

発明者： 江川 孝志 ,  藤田 和久
出願人/特許権者： 国立大学法人 名古屋工業大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-133613
公開番号（公開出願番号）：特開2013-256408
出願日： 2012年06月13日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：

【課題】絶縁膜上に均一なグラフェン膜を有するグラフェン構造の製造方法を提供する。【解決手段】所定の基材2上において、少なくともケイ素を含む絶縁膜層3と、触媒金属層4とを順次に積層し、その上に炭素化合物の分解反応で形成された炭素を供給し、グラファイト層5を形成した後、熱処理することでグラファイトを触媒金属中に固溶し絶縁膜層3との界面まで拡散して析出させ、さらに触媒金属層4を除去することにより、絶縁膜層3上にグラフェン膜6を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材と、前記基材上に形成された絶縁膜層と、前記絶縁膜層上に形成された触媒金属層と、前記触媒金属層上に炭素化合物の分解反応で形成された炭素を供給し、グラファイト層を形成した後、熱処理することでグラファイトを触媒金属中に固溶し絶縁膜との界面まで拡散して析出させ、さらに触媒金属層を除去することにより、絶縁膜上に均一なグラフェン膜を形成してなるグラフェン構造の製造方法。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (22件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC02B ,  4G146AC16B ,  4G146BA12 ,  4G146BA45 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC17 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC46 ,  4G146CA02 ,  4G146CA08 ,  4G146CA15 ,  4G146CB37 ,  4G146DA03 ,  4G146DA17