特許

J-GLOBAL ID：201403074338362691

化合物半導体膜の製造方法および製造装置

発明者： 大隈 丈司 ,  山地 徳一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-058021
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183263
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：

【課題】連続的に成膜することができ、かつ、成膜に影響しない化合物半導体膜の製造方法、および、製造装置を提供すること。【解決手段】CBD法によって化合物半導体膜を成膜する成膜工程と、超音波を印加することによって成膜用溶液中の凝集物を粉砕する粉砕工程とを有し、前記成膜工程と前記粉砕工程とを分離して行うこと。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

CBD法によって化合物半導体膜を成膜する成膜工程と、 超音波を印加することによって成膜用溶液中の凝集物を粉砕する粉砕工程とを有し、 前記成膜工程と前記粉砕工程とを分離して行う、化合物半導体膜の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/368

FI (1件)：

H01L21/368

Fターム (24件)：

5F053AA50 ,  5F053BB01 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH05 ,  5F053LL05 ,  5F053RR05 ,  5F151AA07 ,  5F151AA10 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151EA03 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA02 ,  5F151GA03