特許

J-GLOBAL ID：201403074952434844

半導体光素子

発明者： 小杉 範仁 ,  山口 頼儀 ,  山内 俊也
出願人/特許権者： 日本オクラロ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-198215
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053525
出願日： 2012年09月10日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：

【課題】EA変調器集積レーザのEA変調器部の放熱性を高めることを目的とする。【解決手段】半導体光素子10は、電界吸収型変調器24が形成された基板22と、基板22に設けられた、電界吸収型変調器24の活性層34を含むメサストライプ構造32と、メサストライプ構造32の両側に形成された埋め込み層38と、メサストライプ構造32及び埋め込み層38の上に設けられたパッシベーション膜48と、電界吸収型変調器24を駆動するための電圧信号が印加される電極42と、電極42から電気的に分離された放熱体52と、を有する。パッシベーション膜48は、開口50を有する。放熱体52は、埋め込み層38の上面に接触してパッシベーション膜48の開口50から露出するように配置されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

電界吸収型変調器を備えた半導体光素子であって、 前記電界吸収型変調器が形成された基板と、 前記基板に設けられた、前記電界吸収型変調器の活性層を含むメサストライプ構造と、 前記メサストライプ構造の両側に形成された埋め込み層と、 前記メサストライプ構造及び前記埋め込み層の上に設けられたパッシベーション膜と、 前記電界吸収型変調器を駆動するための電圧信号が印加される電極と、 前記電極から電気的に分離された放熱体と、 を有し、 前記パッシベーション膜は、開口を有し、 前記放熱体は、前記埋め込み層の上面に接触して前記パッシベーション膜の前記開口から露出するように配置されていることを特徴とする半導体光素子。

IPC (1件)：

H01S 5/026

FI (1件)：

H01S5/026 616

Fターム (9件)：

5F173AA26 ,  5F173AA47 ,  5F173AD14 ,  5F173AF04 ,  5F173AG20 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AR72