特許

J-GLOBAL ID：201403075229837554

積層電子部品の製造方法

発明者： 舟橋 真美子
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (3件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  吉田 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-179230
公開番号（公開出願番号）：特開2014-038145
出願日： 2012年08月13日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：

【課題】フォトリソグラフィーにより、高い解像度で微細な導体パターンおよびビアホールを形成することができる積層電子部品の製造方法の提供。【解決手段】少なくとも1つの導体層と、少なくとも1つの絶縁層とを含む積層電子部品の製造方法において、下地層として反射防止膜を形成し、ついで、該反射防止膜上に感光性ペースト層を形成し、該感光性ペースト層からフォトリソグラフィーにより上記導体層および絶縁層の少なくとも1つを形成し、上記反射防止膜を加熱により除去することにより、微細な導体パターンおよびビアホールを有する積層電子部品を製造することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの導体層と、少なくとも1つの絶縁層とを含む積層電子部品の製造方法であって、下地層として反射防止膜を形成し、ついで、該反射防止膜上に感光性ペースト層を形成し、該感光性ペースト層からフォトリソグラフィーにより上記導体層および絶縁層の少なくとも1つを形成し、上記反射防止膜を加熱により除去することを含む方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/40 ,  G03F7/11 503 ,  H01L21/30 574

Fターム (23件)：

2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096AA27 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA05 ,  2H096HA01 ,  2H125AM18P ,  2H125AP06P ,  2H125AP08P ,  2H125AP13P ,  2H125BA16P ,  2H125BA17N ,  2H125BA20P ,  2H125BA30P ,  2H125BA35P ,  2H125CA11 ,  2H125CC01 ,  2H125CD22N ,  2H125CD40 ,  2H125DA22 ,  5F146PA09 ,  5F146PA19