特許

J-GLOBAL ID：201403075461676206

半導体単結晶の製造方法

発明者： 鈴木 聡 ,  佐藤 賢一 ,  中澤 慶一
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042963
公開番号（公開出願番号）：特開2014-169211
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
要約：

【課題】単結晶断面内の特に中心部における抵抗率バラツキを低減可能な半導体単結晶の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】原料結晶を回転させながら、該原料結晶を誘導加熱コイルにより部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯を前記原料結晶の一端部から他端部へ移動させて半導体単結晶を成長させるFZ法による半導体単結晶の製造方法であって、 前記半導体単結晶の成長中に、前記半導体単結晶を中心軸周りに一方向に回転させた後、該一方向とは逆方向に回転させるように回転方向を交互に変更させ、前記一方向から前記逆方向に回転方向を変更する際の回転加速度を、前記逆方向から前記一方向に回転方向を変更する際とは異なる回転加速度とすることを特徴とする半導体単結晶の製造方法。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

原料結晶を回転させながら、該原料結晶を誘導加熱コイルにより部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯を前記原料結晶の一端部から他端部へ移動させて半導体単結晶を成長させるFZ法による半導体単結晶の製造方法であって、 前記半導体単結晶の成長中に、前記半導体単結晶を中心軸周りに一方向に回転させた後、該一方向とは逆方向に回転させるように回転方向を交互に変更させ、前記一方向から前記逆方向に回転方向を変更する際の回転加速度を、前記逆方向から前記一方向に回転方向を変更する際とは異なる回転加速度とすることを特徴とする半導体単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 13/26

FI (1件)：

C30B13/26

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CE03 ,  4G077CE04 ,  4G077EB04 ,  4G077EH08 ,  4G077ND01 ,  4G077NF05 ,  4G077NF11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶を製造するための方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-221813   出願人：ワッカージルトロニックアクチエンゲゼルシャフト
• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-166175   出願人：信越半導体株式会社
• FZ法シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-115009   出願人：SUMCOTECHXIV株式会社
• 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-105965   出願人：信越半導体株式会社