特許

J-GLOBAL ID：201403076013462854

イオンミリング装置

発明者： 三上 隆司
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 恵二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-061358
公開番号（公開出願番号）：特開2014-186883
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：

【課題】被処理物に入射するイオンビームの発散角を小さくして被処理物の加工精度を高めることができるイオンミリング装置を提供する。【解決手段】イオン源2の引出し電極系10内に処理室22から電子を引き込むことによって、引出し電極系内におけるイオンビームの空間電荷を緩和してイオンビーム18の発散を抑制し、被処理物20に入射させる。そのために、処理室内に下流部プラズマ36を発生させるプラズマ発生装置26を設けるとともに、引出し電極系内に下流部プラズマ中の電子38を引き込めるように第1〜第4電極11〜14の電位V1〜V4を設定する。下流部プラズマは導入された不活性ガス34を高周波電極28,29で高周波放電により電離させて発生させる。V1を正電位に、V2を下流部プラズマの電位よりも絶対値が大きい負電位に、V3をソースプラズマの電位より低く下流部プラズマの電位より高い正電位に、V4を接地電位にする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

イオン源から不活性ガスイオンのイオンビームを引き出して、それを処理室内で被処理物に照射して当該被処理物に加工を施すイオンミリング装置であって、 前記イオン源は、不活性ガスのプラズマであるソースプラズマを生成するプラズマ生成部と、当該プラズマ生成部内のソースプラズマから電界の作用で前記イオンビームを引き出す引出し電極系であって、前記プラズマ生成部側からイオンビーム引出し方向に向けて配置された第1電極、第2電極、第3電極および第4電極を有している引出し電極系とを備えており、 当該イオンミリング装置は、更に、 前記処理室内において前記イオン源の下流部に、不活性ガスのプラズマである下流部プラズマを発生させるプラズマ発生装置と、 前記引出し電極系を構成する前記第1電極の接地電位に対する電位を正電位にし、前記第2電極の接地電位に対する電位を、前記下流部プラズマの電位よりも絶対値が大きい負電位にし、かつ前記第3電極の接地電位に対する電位を、前記ソースプラズマの電位よりも低く、かつ前記下流部プラズマの電位よりも高い正電位にする電源装置とを備えており、 かつ前記引出し電極系を構成する前記第4電極は実質的に接地電位にされており、 それによって前記下流部プラズマ中の電子を前記引出し電極系内に引き込んで、当該引き込んだ電子によって前記引出し電極系内における前記イオンビームの空間電荷を緩和して、前記引出し電極系内における前記イオンビームの発散を抑制するようにしていることを特徴とするイオンミリング装置。

IPC (4件)：

H01J 37/30 ,  H01J 37/08 ,  H01J 27/02 ,  H01L 21/302

FI (4件)：

H01J37/30 Z ,  H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  H01L21/302 201B

Fターム (17件)：

5C030DD00 ,  5C030DE04 ,  5C030DE09 ,  5C030DE10 ,  5C034AA01 ,  5C034AA02 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004BA20 ,  5F004BB12 ,  5F004BB14 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23