炭素含有酸化ケイ素膜の製造方法及び炭素含有酸化ケイ素膜

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (3件)：白倉昌 , 岡田賢治 , 今下勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-137322
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003148
出願日： 2012年06月18日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：

【課題】基材の表面に、十分な硬度を有し、低誘電率の炭素含有酸化ケイ素膜を提供する。【解決手段】蒸気発生器10を用い蒸気化された前駆体化合物22と、酸素ガス24を混合した原料ガスに高周波電圧19を印加して大気圧プラズマ化して、加熱手段15を用いて表面温度を80〜150°Cにした基材13に炭素含有酸化ケイ素膜を形成する。本発明で得られた炭素含有酸化ケイ素膜は、比誘電率が4以下であり、硬度が3GPa以上であるため、配線の銅など金属が拡散する空隙が少なく絶縁不良が発生しにくく、半導体素子の層間絶縁膜等として最適である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

不活性ガスからなる希釈ガスと混合され蒸気化された前駆体化合物と、酸素ガスとを混合して原料ガスとし、当該原料ガスに高周波電圧を印加して放電プラズマ化し、当該放電プラズマ化された原料ガスを基材に接触させて、前記基材の表面に炭素含有酸化ケイ素膜を形成する炭素含有酸化ケイ素膜の製造方法において、前記前駆体化合物がケイ素原子、炭素原子及び酸素原子を含有し、前記放電プラズマ化を常圧下で行い、前記前駆体化合物におけるケイ素1原子に対する炭素原子の比率が、原子比で炭素/ケイ素=3/1〜8/1であり、前記前駆体化合物に含まれるケイ素原子に対する前記酸素ガスの酸素原子の比率が、原子比で酸素/ケイ素=360/1〜800/1の範囲であり、前記プラズマ化された原料ガスを基材に接触させるとき、前記基材の表面温度が80〜150°Cの範囲であることを特徴とする炭素含有酸化ケイ素膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , C23C 16/42

FI (2件)：

H01L21/316 X , C23C16/42

Fターム (20件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA37 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030KA22 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF03 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-199709 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
低誘電率膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-112404 出願人：積水化学工業株式会社
成膜装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-342988 出願人：積水化学工業株式会社

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