特許

J-GLOBAL ID：201403077442273179

半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

発明者： 原田 勝吉 ,  ▲ひろせ▼ 義朗 ,  鎌倉 司 ,  佐野 敦 ,  渡橋 由悟
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-043539
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175320
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】 表面に絶縁膜が形成された基板上に薄膜を形成する際、薄膜の段差被覆性、成膜処理の生産性を向上させる。【解決手段】 表面に絶縁膜が形成された基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第1の原料を供給することで、絶縁膜の表面をトリートメントする工程と、基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第2の原料を供給する工程と、基板に対して第3の原料を供給する工程と、を含むサイクルを1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことで、トリートメントが行われた絶縁膜の表面上に、所定元素を含む薄膜を形成する工程と、を有する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

表面に絶縁膜が形成された基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第1の原料を供給することで、前記絶縁膜の表面をトリートメントする工程と、 前記基板に対して前記所定元素およびハロゲン基を含む第2の原料を供給する工程と、前記基板に対して第3の原料を供給する工程と、を含むサイクルを1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことで、前記トリートメントが行われた前記絶縁膜の表面上に、前記所定元素を含む薄膜を形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/314 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/205 ,  H01L21/314 A ,  C23C16/02 ,  C23C16/455

Fターム (42件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA20 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AF08 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC07 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF22 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-117509   出願人：東京エレクトロン株式会社
• ALDによる貴金属の促進された堆積
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-067951   出願人：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
• バッチALDリアクタのための処理プロセス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-531413   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2012055832   出願人：株式会社日立国際電気