特許

J-GLOBAL ID：201403077544267050

発光装置

発明者： 千田 尚之 ,  道前 芳隆 ,  横山 浩平 ,  二星 学 ,  塚本 優人 ,  井上 智 ,  川戸 伸一 ,  菊池 克浩
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-046907
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175165
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】発光装置のクロストーク現象の発生を抑制する。【解決手段】絶縁層416と、前記絶縁層上に形成された第1の下部電極421aと、前記絶縁層上に形成された第2の下部電極421bと、前記絶縁層上に形成され、前記第1の下部電極と前記第2の下部電極の間に位置する構造物419と、前記絶縁層上に形成され、前記構造物と前記第1の下部電極の間に位置する第1の隔壁418aと、前記絶縁層上に形成され、前記構造物と前記第2の下部電極の間に位置する第2の隔壁418bと、前記第1の下部電極、前記第1の隔壁、前記構造物、前記第2の隔壁及び前記第2の下部電極の上に形成された第1の発光ユニット423aと、前記第1の発光ユニット上に形成された中間層424と、前記中間層上に形成された第2の発光ユニット423bと、前記第2の発光ユニット上に形成された上部電極422と、を具備する発光装置である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁層と、 前記絶縁層上に形成された第1の下部電極と、 前記絶縁層上に形成された第2の下部電極と、 前記絶縁層上に形成され、前記第1の下部電極と前記第2の下部電極の間に位置する構造物と、 前記第1の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第1の下部電極の端部を覆う第1の隔壁と、 前記第2の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第2の下部電極の端部を覆う第2の隔壁と、 前記第1の下部電極、前記第1の隔壁、前記構造物、前記第2の隔壁及び前記第2の下部電極の上に形成された第1の発光ユニットと、 前記第1の発光ユニット上に形成された中間層と、 前記中間層上に形成された第2の発光ユニットと、 前記第2の発光ユニット上に形成された上部電極と、 を具備することを特徴とする発光装置。

IPC (3件)：

H05B 33/22 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/12

FI (5件)：

H05B33/22 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/12 B ,  H05B33/12 C ,  H05B33/12 E

Fターム (8件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107DD52 ,  3K107DD89 ,  3K107DD91 ,  3K107EE22 ,  3K107FF15

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-079619   出願人：ソニー株式会社
• 発光パネル、発光パネルを用いた発光装置および発光パネルの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-140440   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 発光装置、電子機器及び照明装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-143983   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 発光装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-099418   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 有機EL表示装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-013049   出願人：ソニー株式会社