特許

J-GLOBAL ID：201403078232671550

電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法

発明者： 畑山 和重
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-026978
公開番号（公開出願番号）：特開2014-158099
出願日： 2013年02月14日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：

【課題】小型化可能で、かつ周波数特性の劣化を抑制が可能な電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、基板10と、基板10の上面に実装された弾性波デバイス30と、基板10の上面に実装されたチップ部品20と、チップ部品20の端子22、端子22と接続された基板10の端子12a、及び半田40に形成され、かつ基板10及びチップ部品20の非金属部に形成されていない樹脂層42と、金属により形成されチップ部品20及び弾性波デバイス30を封止する封止部50と、を具備する電子デバイス100、及び電子デバイス100の製造方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上面に実装された弾性波デバイスと、 半田を用いて前記基板の上面に実装されたチップ部品と、 前記チップ部品の端子、前記チップ部品の端子と接続された前記基板の端子、及び前記半田、それぞれの表面に形成され、かつ前記基板及び前記チップ部品のうち非金属部には形成されていない樹脂層と、 金属により形成され、前記チップ部品及び前記弾性波デバイスを封止する封止部と、を具備することを特徴とする電子デバイス。

IPC (5件)：

H03H 9/25 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/72 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/10

FI (5件)：

H03H9/25 A ,  H03H3/08 ,  H03H9/72 ,  H01L23/02 C ,  H01L23/10 B

Fターム (13件)：

5J097AA26 ,  5J097AA29 ,  5J097BB15 ,  5J097FF05 ,  5J097FF08 ,  5J097GG03 ,  5J097GG04 ,  5J097HA04 ,  5J097JJ03 ,  5J097JJ09 ,  5J097KK10 ,  5J097LL01 ,  5J097LL08