特許

J-GLOBAL ID：201403080204210577

多孔性高分子フィルムの製造方法

発明者： 古山 了 ,  村木 勇三 ,  長井 陽三 ,  網野 一郎 ,  百合 庸介 ,  湯山 貴裕 ,  石坂 知久 ,  石堀 郁夫 ,  吉田 健一 ,  前川 康成 ,  越川 博 ,  八巻 徹也 ,  浅野 雅春
出願人/特許権者： 日東電工株式会社 ,  独立行政法人日本原子力研究開発機構
代理人 (1件)： 鎌田 耕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-066942
公開番号（公開出願番号）：特開2014-189654
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：

【課題】工業的な生産に適した、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。【解決手段】サイクロトロンで加速されたイオンから構成されるイオンビームを高分子フィルムに照射して、当該ビーム中のイオンが衝突した高分子フィルムを形成する工程(I)と、工程(I)で形成した高分子フィルムを化学エッチングして、イオンの衝突の軌跡に対応する開口および/または貫通孔を高分子フィルムに形成する工程(II)とを含み、工程(I)では、イオンビームの経路における高分子フィルムの上流および/または下流においてイオンビームのビーム電流値を検出し、高分子フィルムに対するイオンの照射密度が設定した値となるように、検出したビーム電流値に基づいて、イオンビームの高分子フィルムへの照射条件を制御する方法とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サイクロトロンで加速されたイオンから構成されるイオンビームを高分子フィルムに照射して、前記ビーム中のイオンが衝突した高分子フィルムを形成する工程(I)と、 前記形成した高分子フィルムを化学エッチングして、前記イオンの衝突の軌跡に対応する開口および/または貫通孔を前記高分子フィルムに形成する工程(II)と、を含み、 前記工程(I)では、 前記イオンビームの経路における前記高分子フィルムの上流および/または下流において、当該イオンビームのビーム電流値を検出し、 前記高分子フィルムに対する前記イオンの照射密度が設定した値となるように、前記検出したビーム電流値に基づいて、前記イオンビームの前記高分子フィルムへの照射条件を制御する、 多孔性高分子フィルムの製造方法。

IPC (1件)：

C08J 7/00

FI (2件)：

C08J7/00 302 ,  C08J7/00

Fターム (24件)：

4F073AA06 ,  4F073BA15 ,  4F073BA23 ,  4F073BA24 ,  4F073BA26 ,  4F073BA31 ,  4F073BB01 ,  4F073BB09 ,  4F073CA51 ,  4F073CA65 ,  4F073HA11 ,  4F073HA12 ,  4F074AA38 ,  4F074AA66 ,  4F074AA70 ,  4F074AA74 ,  4F074CA10 ,  4F074CC48Y ,  4F074CD14 ,  4F074DA03 ,  4F074DA10 ,  4F074DA24 ,  4F074DA43 ,  4F074DA59