窒化物半導体テンプレートおよびその製造方法、並びに窒化物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：福岡昌浩 , 清野仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-101126
公開番号（公開出願番号）：特開2014-222691
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
要約：

【課題】発光効率に優れた発光素子を形成できる窒化物半導体テンプレートを提供する。【解決手段】基板と、基板上に、III族原料と塩素系ガスとから生成されるIII族原料ガスおよび窒素原子を含有するV族原料ガスにより成長された窒化物半導体層と、を備え、窒化物半導体層における塩素の平均濃度が、8.20×1016cm-3以下の窒化物半導体テンプレートである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に、III族原料と塩素系ガスとから生成されるIII族原料ガスおよび窒素原子を含有するV族原料ガスにより成長された窒化物半導体層と、を備え、前記窒化物半導体層における塩素の平均濃度が、8.20×1016cm-3以下であることを特徴とする窒化物半導体テンプレート。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 33/32

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00 186

Fターム (38件)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC03 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB04 , 5F045BB14 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DP09 , 5F045DQ06 , 5F045EM10 , 5F141AA03 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA49 , 5F141CA57 , 5F141CA65

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化物半導体テンプレート及び発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-174593 出願人：日立電線株式会社
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-180968 出願人：住友電気工業株式会社
基板の製造方法、半導体デイバスの製造方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-291426 出願人：株式会社日立国際電気

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