特許
J-GLOBAL ID:201403081474318546

積層体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 速水 進治
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-552040
特許番号:特許第5469784号
出願日: 2013年07月03日
要約:
【要約】 本発明に係る積層体は、基材(A)と、基材(A)の少なくとも一方の面に順に積層された、シリコン含有層(B)と、重合性基を有する有機酸金属塩から得られる重合体層(C)と、からなり、シリコン含有層(B)は、珪素原子と窒素原子、または珪素原子と窒素原子と酸素原子、または珪素原子と窒素原子と酸素原子と炭素原子とからなる窒素高濃度領域を有し、前記窒素高濃度領域は、基材(A)上に形成されたポリシラザン膜に酸素濃度5%以下および/または室温23°Cにおける相対湿度30%以下でエネルギー線照射を行い、当該膜の少なくとも一部を変性することにより形成される。
請求項(抜粋):
【請求項1】 基材(A)と、前記基材(A)の少なくとも一方の面に順に積層された、シリコン含有層(B)と、重合性基を有する有機酸金属塩から得られる重合体層(C)と、からなり、 前記シリコン含有層(B)は、珪素原子と窒素原子、または珪素原子と窒素原子と酸素原子、または珪素原子と窒素原子と酸素原子と炭素原子とからなる窒素高濃度領域を有し、 前記窒素高濃度領域は、前記基材(A)上に形成されたポリシラザン膜に酸素濃度5%以下および/または室温23°Cにおける相対湿度30%以下でエネルギー線照射を行い、当該膜の少なくとも一部を変性することにより形成される、積層体。
IPC (4件):
B32B 9/00 ( 200 6.01) ,  B32B 27/00 ( 200 6.01) ,  B32B 37/00 ( 200 6.01) ,  H01L 31/042 ( 201 4.01)
FI (5件):
B32B 9/00 A ,  B32B 27/00 A ,  B32B 27/00 101 ,  B32B 31/28 ,  H01L 31/04 R
引用特許:
出願人引用 (3件)

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