単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史 , 正木克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-004273
公開番号（公開出願番号）：特開2014-136708
出願日： 2013年01月15日
公開日（公表日）： 2014年07月28日
要約：

【解決手段】一般式(1)で示される単量体。【効果】本発明の単量体から得られる繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜は、アルカリ現像によるポジ型のパターン形成のみならず、有機溶剤現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく、高感度で形成が可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される単量体。

IPC (5件)：

C08F 20/28 , G03F 7/039 , G03F 7/038 , G03F 7/32 , G03F 7/004

FI (5件)：

C08F20/28 , G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , G03F7/32 , G03F7/004 503A

Fターム (78件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA03 , 2H096GA08 , 2H096JA08 , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF34P , 2H125AF38P , 2H125AH05 , 2H125AH11 , 2H125AH14 , 2H125AH16 , 2H125AH19 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AJ12X , 2H125AJ14X , 2H125AJ18X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AM22P , 2H125AM27P , 2H125AM94P , 2H125AM99P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN51P , 2H125AN88P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125FA03 , 2H125FA05 , 2H125FA23 , 2H196AA25 , 2H196BA11 , 2H196DA01 , 2H196EA05 , 2H196FA01 , 2H196GA03 , 2H196GA08 , 2H196JA08 , 4J100AL03Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA15P , 4J100BA51R , 4J100BA56R , 4J100BB18R , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC12P , 4J100BC12Q , 4J100BC15P , 4J100CA01 , 4J100CA03 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

導電膜形成用組成物および導電膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-163681 出願人：富士フイルム株式会社
パターン形成方法、レジスト組成物、高分子化合物及び単量体
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-005982 出願人：信越化学工業株式会社

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