特許

J-GLOBAL ID：201403081766742705

カルボニル基含有カルバゾールノボラックを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物

発明者： 染谷 安信 ,  橋本 圭祐 ,  新城 徹也 ,  西巻 裕和 ,  柄澤 涼 ,  坂本 力丸
出願人/特許権者： 日産化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-170442
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029435
出願日： 2012年07月31日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：

【課題】 半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるための耐熱性を備えたレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 下記式(1)の単位構造:【化1】(式(1)中、Aはカルバゾールを有する構造を、Bは芳香族環を有する構造を、Cは水素原子、アルキル基又は芳香族環を有する構造を示し、BとCは互いに環を構成していても良い。A、B、及びCを合わせた構造中に1〜4個のカルボキシル基若しくはその塩、又はカルボン酸エステル基を有する。)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。半導体基板にレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、そしてエッチングと基板加工を含む半導体装置の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記式(1)の単位構造:

IPC (5件)：

G03F 7/11 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/40 ,  C08G 12/26 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/11 503 ,  G03F7/26 511 ,  G03F7/40 521 ,  C08G12/26 ,  H01L21/30 574

Fターム (29件)：

2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  2H096KA19 ,  2H125AM80N ,  2H125AM92N ,  2H125AN38N ,  2H125AN39N ,  2H125BA01N ,  2H125BA32N ,  2H125BA33N ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125DA24 ,  4J033EA01 ,  4J033EA05 ,  4J033EA33 ,  4J033EC05 ,  4J033EC08 ,  4J033HB10 ,  5F146PA07 ,  5F146PA11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• カルバゾール骨格含有樹脂、カルバゾール骨格含有エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-127740   出願人：新日鐵化学株式会社, 東都化成株式会社