不揮発性記憶装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-213275
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067929
出願日： 2012年09月26日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

【課題】安定した動作の不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、記憶部と制御部とを備えた不揮発性記憶装置が提供される。記憶部は、積層体を含む磁気記憶素子と磁界印加部とを含む。積層体は、第1及び第2強磁性層と非磁性層とを含む。第2強磁性層の磁化の方向は変化可能である。磁界印加部は、積層方向に対して垂直な方向の成分を含む磁界を第2強磁性層に印加する。制御部は、第1及び第2強磁性層の間の電圧を変化させる。第2強磁性層の異方性磁界の積層方向の成分の変化をΔH、第2強磁性層の積層方向の異方性磁界をHu、磁界印加部の磁界をHext、第2強磁性層の面内方向の異方性磁界をHdxとする。磁界印加部の磁界は、【数1】で表される条件を満足する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化の方向が固定された第1強磁性層と、磁化の方向が変化可能な第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を含み、前記第1強磁性層、前記第2強磁性層及び前記第1非磁性層が積層方向に積層された積層体を含む磁気記憶素子と、前記積層方向に対して垂直な第1面内方向の成分を含む磁界を前記第2強磁性層に印加する磁界印加部と、を含む記憶部と、前記磁気記憶素子と電気的に接続され、前記磁気記憶素子の前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の電圧を第1設定電圧から第2設定電圧に変化させる設定動作を実施する制御部と、を備え、前記第1設定電圧から前記第2設定電圧に変化させたときの前記第2強磁性層の異方性磁界の前記積層方向の成分の変化をΔH(エルステッド)とし、前記第1設定電圧のときの前記第2強磁性層の異方性磁界の前記積層方向の成分をHu(エルステッド)とし、前記磁界印加部の印加する前記磁界の前記第1面内方向の成分をHext(エルステッド)とし、前記第1設定電圧のときの前記第2強磁性層の異方性磁界の前記第1面内方向の成分をHdx(エルステッド)とするとき、前記磁界印加部の印加する前記磁界は、

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z

Fターム (20件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119CC09 , 4M119DD17 , 5F092AC12 , 5F092AD13 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092AD28 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB90 , 5F092BC12 , 5F092GA03

引用特許：

出願人引用 (6件)

スピンバルブ素子および記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-123100 出願人：富士電機株式会社
磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-004787 出願人：株式会社日立製作所, ユニヴェルシテ・パリ・シュド・オーンズ, サントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィック
磁気特性の変調方法および磁気機能装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-186045 出願人：ソニー株式会社

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