特許

J-GLOBAL ID：201403082168363771

シリコンインゴットの製造方法

発明者： 沓掛 健太朗
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (7件)： 重信 和男 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  溝渕 良一 ,  小椋 正幸 ,  秋庭 英樹 ,  堅田 多恵子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-166979
公開番号（公開出願番号）：特開2014-024716
出願日： 2012年07月27日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：

【課題】ルツボ壁で核形成した結晶粒が、結晶成長の進行とともに面積を拡大することを防ぎ、種結晶の結晶方位を受け継いだ単結晶部分の割合が高い高品質なシリコンインゴットを作製することが可能なシリコンインゴットの作製方法を提供する。【解決手段】ルツボ中のシリコン融液を、ルツボ底に配置したシリコンの種結晶の結晶方位を受け継いで下方から上方へ一方向成長させるシリコンインゴットの製造方法であって、種結晶が結晶方位の異なる複数の単結晶シリコンブロックから構成され、単結晶シリコンブロック間の境界位置をルツボ壁から5mm以上50mm以下の距離に配置し、種結晶の境界位置を引き継いで、成長したシリコンインゴット中に結晶粒界が形成されることを特徴としたインゴット製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ルツボ中のシリコン融液を、ルツボ底に配置したシリコンの種結晶の結晶方位を受け継いで下方から上方へ一方向成長させるシリコンインゴットの製造方法であって、種結晶が結晶方位の異なる複数の単結晶シリコンブロックから構成され、単結晶シリコンブロック間の境界位置をルツボ壁から5mm以上50mm以下の距離に配置し、種結晶の境界位置を引き継いで、成長したシリコンインゴット中に結晶粒界が形成されることを特徴とするインゴット製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  C01B 33/02

FI (2件)：

C30B29/06 501Z ,  C01B33/02 E

Fターム (21件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072LL03 ,  4G072MM38 ,  4G072NN03 ,  4G072NN30 ,  4G072RR13 ,  4G072UU02 ,  4G077AA02 ,  4G077AA07 ,  4G077BA04 ,  4G077CD08 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077HA20 ,  4G077PJ01 ,  4G077PJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 種結晶から鋳造シリコンを製造するための方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-517140   出願人：ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド
• シード結晶からキャストシリコンを製造するための方法及び装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-518293   出願人：ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド
• 太陽電池用多結晶シリコン・インゴットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-349980   出願人：川崎製鉄株式会社
• 結晶シリコンインゴット及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-079770   出願人：中美せき晶製品股ふん有限公司