特許
J-GLOBAL ID:201403082406990607
位相同期長波長帯面発光レーザ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-077206
公開番号(公開出願番号):特開2014-203894
出願日: 2013年04月02日
公開日(公表日): 2014年10月27日
要約:
【課題】高速直接変調可能で、高光出力が可能なIn-phaseの面発光レーザアレイ素子を実現する。【解決手段】InP基板と、InP基板上の第1の反射鏡と、第1の反射鏡上の第1のスペーサー層および活性層と、活性層上の第2のスペーサー層と、第2のスペーサー層内の一面に並べられたトンネル接合層と、スペーサー層上の第2反射鏡とから構成される面発光レーザにおいて、トンネル接合層は、面発光レーサアレイの複数の素子と、複数の素子の間に配置された光利得を有する層とから構成されることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
InP基板と、
前記InP基板上の第1の反射鏡と、
前記第1の反射鏡上の第1のスペーサー層および活性層と、
前記活性層上の第2のスペーサー層と、
前記第2のスペーサー層内の一面に並べられたトンネル接合層と、
前記スペーサー層上の第2反射鏡と
から構成される面発光レーザにおいて、
前記トンネル接合層は、前記面発光レーザアレイの複数の素子と、前記複数の素子の間に配置された光利得を有する層とから構成されることを特徴とする面発光レーザ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC52
, 5F173AC61
, 5F173AD03
, 5F173AF04
, 5F173AH30
, 5F173AP05
, 5F173AR04
, 5F173AR33
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