圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長門侃二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-527553
公開番号（公開出願番号）：特表2014-529902
出願日： 2012年07月24日
公開日（公表日）： 2014年11月13日
要約：

少なくとも1つの圧電セラミック層(10)と、少なくとも1つの当該圧電セラミック層に接する電極(20)とを備えた圧電デバイスが提供され、この圧電セラミック層(10)は、一般式Pb1-x-y-[(2a-b)/2]-p/2V[(2a-b)/2-p/2]''CupBaxSry[(TizZr1-z)1-a-bWaSEb]O3の圧電セラミック材料を備え、0≦x≦0.035,0≦y≦0.025,0.42≦z≦0.5,0.0045≦a≦0.009,0.009≦b≦0.011,2a>b,p≦2a-bであり、SEは希土類金属であり、V''はPbの空位である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの圧電セラミック層(10)と、少なくとも1つの当該圧電セラミック層に接する電極(20)とを備えた圧電デバイスであって、前記圧電セラミック層(10)は、一般式Pb1-x-y-[(2a-b)/2]-p/2V[(2a-b)/2-p/2]''CupBaxSry[(TizZr1-z)1-a-bWaSEb]O3の圧電セラミック材料を備え、0≦x≦0.035,0≦y≦0.025,0.42≦z≦0.5,0.0045≦a≦0.009,0.009≦b≦0.011,2a>b,p≦2a-bであり、SEは希土類金属であり、V''はPbの空位である、ことを特徴とするデバイス。

IPC (7件)：

H01L 41/187 , H01L 41/43 , H01L 41/09 , C04B 35/491 , C01G 25/00 , H01L 41/083 , H01L 41/27

FI (7件)：

H01L41/187 , H01L41/43 , H01L41/09 , C04B35/49 A , C01G25/00 , H01L41/083 , H01L41/27

Fターム (23件)：

4G031AA05 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA08 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA18 , 4G031AA25 , 4G031AA32 , 4G031BA10 , 4G031CA01 , 4G031CA04 , 4G031CA08 , 4G031GA03 , 4G031GA04 , 4G031GA06 , 4G031GA11 , 4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AC01 , 4G048AD03 , 4G048AD08 , 4G048AE05

引用特許：

審査官引用 (8件)

積層型圧電体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-091764 出願人：京セラ株式会社
アクチュエータ用圧電磁器及び積層型圧電アクチュエータ並びに噴射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-097425 出願人：京セラ株式会社
圧電磁器組成物および積層型圧電素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-324772 出願人：TDK株式会社

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