特許
J-GLOBAL ID：201403082823576872
プラズマ処理システムにおけるエッチング耐性を最適にする方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-199346
公開番号（公開出願番号）：特開2012-253386
特許番号：特許第5567084号
出願日： 2012年09月11日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基板の加工処理工程における処理の選択性を改善する方法であって、
処理ガス混合物との親和性を有するプレコートガス混合物を前記プラズマ処理チャンバ内に流入させる工程と、
前記プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程と、
前記基板を前記プラズマ処理チャンバに導入する工程と、
前記プラズマ処理チャンバ内に処理ガス混合物を流入させる工程と、
前記処理ガス混合物の第二プラズマを照射する工程と、
前記第二プラズマにより前記基板をエッチングと積層の少なくとも1つを実施する工程と、
前記プレコートガス混合物を流入させる前に、ウエハのない状態で前記プラズマ処理チャンバを清浄化する工程と、
を含み、
前記第一プラズマが、前記プラズマ処理チャンバ内の表面にプレコート膜を形成して、前記第二プラズマ中の少なくともいくらかの量のラジカルを引きつけるように構成されており、
前記プレコートガス混合物が、CH2F2とCF4との混合物でなり、
前記プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程においては、チャンバ圧力を5〜100mTとすることを特徴とする処理の選択性を改善する方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 101 H
, H01L 21/302 105 A
