特許
J-GLOBAL ID：201403083053136719
書き込みフェイルを減らすメモリ装置、それを含むメモリシステム及びその書き込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-178156
公開番号（公開出願番号）：特開2014-049135
出願日： 2013年08月29日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
要約：
【課題】書き込みフェイルを減らすメモリ装置、それを含むメモリシステム及びその書き込み方法を提供する。【解決手段】本発明のメモリシステムは、複数のメモリセルを含むメモリ装置と、メモリ装置を制御するメモリコントローラと、を含み、メモリ装置の指定されたメモリセルにデータが書き込まれ、指定されたメモリセルが含まれたワードラインがプリチャージされた後、プリチャージ直前に書き込まれたデータは、同じメモリセルに再び再書き込まれることによって、書き込み不良を減らしうる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを含むメモリ装置と、
前記メモリ装置に複数の書き込み命令を行うメモリコントローラと、を含み、前記メモリ装置は、
前記複数の書き込み命令のうち、最後の書き込み命令に該当する第1書き込み動作を行った後、前記第1書き込み動作が行われたメモリセルに対するプリチャージ動作を行い、前記プリチャージ動作後に、前記最後の書き込み命令に該当する第2書き込み動作を行い、
前記第1書き込み動作と前記第2書き込み動作は、同じアドレスを有するメモリセルに同じデータセットを書き込むメモリシステム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G06F12/16 310G
, G11C11/34 362T
5B018GA04
, 5B018HA40
, 5B018NA02
, 5M024AA36
, 5M024AA49
, 5M024BB30
, 5M024BB36
, 5M024JJ03
, 5M024PP01
, 5M024PP03
, 5M024PP07
