特許

J-GLOBAL ID：201403083377308210

有機トランジスタ素子および有機トランジスタ素子の製造方法

発明者： 中馬 隆 ,  原田 千寛 ,  秦 拓也 ,  酒井 良正
出願人/特許権者： パイオニア株式会社 ,  三菱化学株式会社
代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-078506
公開番号（公開出願番号）：特開2014-203948
出願日： 2013年04月04日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：

【課題】所望の性能を有する有機トランジスタを提供する【解決手段】基板11と有機半導体膜16との間に、第一の自己組織単分子膜13と、第二の自己組織単分子膜14とを設ける。第一の自己組織単分子膜13は、第二の自己組織単分子膜14とは異なる材料で構成されており、第一の自己組織単分子膜13および第二の自己組織単分子膜14は、有機半導体膜16の異なる箇所に接している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板に設けられた第一トランジスタおよび第二トランジスタと、を含み、 前記基板に、前記第一トランジスタの第一ソース電極および第一ドレイン電極と、前記第二トランジスタの第二ソース電極および第二ドレイン電極とが設けられた有機トランジスタ素子であって、 前記第一トランジスタの前記第一ソース電極および前記第一ドレイン電極間に位置し、前記第一トランジスタのチャネルが形成される第一の有機半導体領域、前記第二トランジスタの前記第二ソース電極および前記第二ドレイン電極間に位置し、チャネルが形成される第二の有機半導体領域、前記第一トランジスタの前記第一ソース電極および前記第一ドレイン電極のいずれか一方と前記第二トランジスタの前記第二ソース電極および前記第二ドレイン電極のいずれか一方との間に位置する第三の有機半導体領域とを有する有機半導体膜と、 前記有機半導体膜に接するとともに前記有機半導体膜と前記基板との間に配置される第一の自己組織化単分子膜と、 前記第一の自己組織化単分子膜とは異なる箇所で前記有機半導体膜に接するとともに前記有機半導体膜と前記基板との間に配置される第二の自己組織単分子膜とを備え、 前記第一の自己組織化単分子膜と、前記第二の自己組織化単分子膜とが異なる材料で構成されている有機トランジスタ素子。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (6件)：

H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 621 ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 626C

Fターム (32件)：

5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ01