特許

J-GLOBAL ID：201403083380327790

発光素子及び発光素子パッケージ

発明者： チョイ,ジェフン ,  イ,ブェムヨン ,  ソン,キヨン ,  チョイ,ラクジュン
出願人/特許権者： エルジー イノテック カンパニー リミテッド
代理人 (5件)： 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝 ,  市川 英彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-216121
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086727
出願日： 2013年10月17日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：

【課題】電流スプレッディングによる発光効率を向上させることができる発光素子を提供する。【解決手段】発光素子は、ナノ構造物19、ナノ構造物19の上に配置された第1半導体層25、第1半導体層25の上に配置された活性層27、活性層27の上に配置された第2導電型半導体層29を含み、ナノ構造物19は、第1半導体層25の下に配置され、第1半導体層25と接触したグラフェン層13、及びグラフェン層13の上面から第1半導体の方向に延びて、第1半導体層25と接触した多数のナノテクスチャー16を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ナノ構造物と、 前記ナノ構造物の上に配置された第1半導体層と、 前記第1半導体層の上に配置された活性層と、 前記活性層の上に配置された第2導電型半導体層と、を含み、 前記ナノ構造物は、 前記第1半導体層の下に配置され、前記第1半導体層と接触したグラフェン層と、 前記グラフェン層の上面から前記第1半導体層の方向に延びて、前記第1半導体層と接触した多数のナノテクスチャーと、 を含むことを特徴とする、発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/22 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/48

FI (3件)：

H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 400

Fターム (29件)：

5F141AA03 ,  5F141AA21 ,  5F141AA40 ,  5F141CA05 ,  5F141CA08 ,  5F141CA10 ,  5F141CA40 ,  5F141CA64 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66 ,  5F141CA74 ,  5F141CA88 ,  5F141CB11 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36 ,  5F142BA02 ,  5F142CA03 ,  5F142CD02 ,  5F142CD13 ,  5F142CD15 ,  5F142CD16 ,  5F142CD45 ,  5F142CD47 ,  5F142CG01 ,  5F142DA12 ,  5F142FA32 ,  5F142GA01 ,  5F142GA21 ,  5F142GA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-150253   出願人：ローム株式会社
• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-062895   出願人：シルトロンインク