特許
J-GLOBAL ID：201403083841011390
液晶光学素子とその製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 鵜飼 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-057822
公開番号（公開出願番号）：特開2014-182330
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：
【課題】新規な液晶光学素子を提供する。【解決手段】 液晶光学素子は、第1の基板と、第1の基板上方に配置された、第1の電極層及び傾斜断面構造層の積層構造と、積層構造上方に配置された液晶層と、液晶層上方に配置された第2の電極層と、第2の電極層上方に配置された第2の基板と、セル厚を保持するスペーサーとして機能する複数の突起部を有する突起層とを有し、突起層が第2の電極層及び突起層の積層構造として第2の基板側に形成され、第1の基板及び第2の基板の両方がフィルム基板であるか、または、突起層が前記第1の電極層及び傾斜断面構造層及び突起層の積層構造として第1の基板側に形成され、少なくとも第1の基板がフィルム基板である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の基板と、
前記第1の基板上方に配置された、第1の電極層及び傾斜断面構造層の積層構造と、
前記積層構造上方に配置された液晶層と、
前記液晶層上方に配置された第2の電極層と、
前記第2の電極層上方に配置された第2の基板と、
セル厚を保持するスペーサーとして機能する複数の突起部を有する突起層と
を有し、
前記突起層が前記第2の電極層及び前記突起層の積層構造として前記第2の基板側に形成され、前記第1の基板及び前記第2の基板の両方がフィルム基板であるか、または、
前記突起層が前記第1の電極層及び傾斜断面構造層及び前記突起層の積層構造として前記第1の基板側に形成され、少なくとも前記第1の基板がフィルム基板である液晶光学素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F1/1339 500
, G02F1/13 505
2H088EA42
, 2H088EA45
, 2H088FA02
, 2H088FA04
, 2H088FA19
, 2H088FA26
, 2H088FA29
, 2H088HA01
, 2H088HA23
, 2H088MA17
, 2H189AA07
, 2H189AA14
, 2H189CA10
, 2H189CA11
, 2H189CA18
, 2H189CA21
, 2H189CA26
, 2H189DA07
, 2H189DA19
, 2H189DA27
, 2H189DA31
, 2H189DA38
, 2H189DA48
, 2H189DA73
, 2H189DA88
, 2H189EA02X
, 2H189FA14
, 2H189FA81
, 2H189GA52
, 2H189HA14
, 2H189JA04
, 2H189LA01
, 2H189LA18
, 2H189MA15
