特許

J-GLOBAL ID：201403084423854760

半導体リソグラフィ用光源

発明者： 大西 正視 ,  ワヒード ヒューグラス
出願人/特許権者： 学校法人 関西大学
代理人 (2件)： 藤本 昇 ,  中谷 寛昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047227
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175495
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】高温、高密度のプラズマを発生させるとともに、プラズマの発生に伴って生じるデブリを効果的に回収できるリソグラフィ用光源を提供する。【解決手段】半導体ウェハ上に回路パターンを形成するための短波長の光を発生させる半導体リソグラフィ用光源において、負圧の状態でスタナンガスが充填される内部空間を画定する外周壁部を有する光源本体と、光源本体の内部空間内に、スタナンガスを介してプラズマを発生させるべく、この内部空間に逆磁場配位を発生させる逆磁場配位発生手段と、光源本体の内部空間でのプラズマの発生により生じるデブリを回収するためのデブリ回収手段と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に回路パターンを形成するための短波長の光を発生させる半導体リソグラフィ用光源において、 負圧の状態でスタナンガスが充填される内部空間を画定する外周壁部を有する光源本体と、 光源本体の内部空間内に、スタナンガスを介してプラズマを発生させるべく、この内部空間に逆磁場配位を発生させる逆磁場配位発生手段と、 光源本体の内部空間でのプラズマの発生により生じるデブリを回収するためのデブリ回収手段と、を備えることを特徴とする半導体リソグラフィ用光源。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H05G 2/00 ,  H05H 1/08

FI (3件)：

H01L21/30 531S ,  H05G1/00 K ,  H05H1/08

Fターム (12件)：

4C092AA10 ,  4C092AA14 ,  4C092AB30 ,  4C092AC09 ,  4C092BD15 ,  4C092BD18 ,  4C092BD19 ,  4C092BD20 ,  5F146GA21 ,  5F146GA24 ,  5F146GA28 ,  5F146GC11