特許

J-GLOBAL ID：201403084749259757

光電極およびその製造方法、光電気化学セルおよびそれを用いたエネルギーシステム、並びに水素生成方法

発明者： 田村 聡 ,  野村 幸生 ,  鈴木 孝浩 ,  徳弘 憲一 ,  谷口 昇 ,  羽藤 一仁 ,  宮田 伸弘
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  間中 恵子
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012002843
公開番号（公開出願番号）：WO2012-157193
出願日： 2012年04月25日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：

本発明の光電極(100)は、導電体層(12)と、導電体層(12)上に設けられた光触媒層(13)と、を備える。導電体層(12)は、金属窒化物からなる。光触媒層(13)は、窒化物半導体および酸窒化物半導体からなる群から選ばれる少なくとも1つからなる。光触媒層(13)がn型半導体からなる場合は、真空準位と導電体層(12)のフェルミ準位とのエネルギー差が、真空準位と光触媒層(13)のフェルミ準位とのエネルギー差よりも小さい。光触媒層(13)がp型半導体からなる場合は、真空準位と導電体層(12)のフェルミ準位とのエネルギー差が、真空準位と光触媒層(13)のフェルミ準位とのエネルギー差よりも大きい。

請求項（抜粋）：

導電体層と、前記導電体層上に設けられた光触媒層と、を備え、 前記導電体層が、金属窒化物からなり、 前記光触媒層が、窒化物半導体および酸窒化物半導体からなる群から選ばれる少なくとも1つからなり、 前記光触媒層がn型半導体からなる場合は、真空準位と前記導電体層のフェルミ準位とのエネルギー差が、真空準位と前記光触媒層のフェルミ準位とのエネルギー差より小さく、 前記光触媒層がp型半導体からなる場合は、真空準位と前記導電体層のフェルミ準位とのエネルギー差が、真空準位と前記光触媒層のフェルミ準位とのエネルギー差より大きい、 光電極。

IPC (5件)：

C25B 11/06 ,  C25B 1/10 ,  C25B 9/00 ,  H01M 8/06 ,  C01B 3/04

FI (5件)：

C25B11/06 B ,  C25B1/10 ,  C25B9/00 A ,  H01M8/06 R ,  C01B3/04 A

Fターム (50件)：

4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA48A ,  4G169BB01C ,  4G169BB11A ,  4G169BB11B ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC56B ,  4G169BD01C ,  4G169BD06C ,  4G169DA05 ,  4G169EA11 ,  4G169EC25 ,  4G169EC28 ,  4G169FA06 ,  4G169FB03 ,  4G169FC02 ,  4G169HA01 ,  4G169HB10 ,  4G169HD14 ,  4G169HD24 ,  4G169HE09 ,  4K011AA01 ,  4K011AA21 ,  4K011AA24 ,  4K011AA66 ,  4K011BA01 ,  4K011BA02 ,  4K011BA09 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC08 ,  4K021CA03 ,  4K021CA08 ,  4K021CA09 ,  4K021DB11 ,  4K021DB18 ,  4K021DB31 ,  4K021DC01 ,  4K021DC03 ,  5H026AA06 ,  5H027AA06 ,  5H027BA13 ,  5H027DD03 ,  5H027DD05