特許

J-GLOBAL ID：201403085323567035

酸化亜鉛(ZnO)系結晶のドーピング方法

発明者： 佐藤 有香 ,  堀尾 直史
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185548
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043361
出願日： 2012年08月24日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：

【課題】ドーピングを行う結晶の組成、導電型等に関わらず、安全かつ容易であって、制御性に優れたp型ZnO系結晶を得るドーピング方法を提供する。【解決手段】I族元素を構成元素として含有する炭酸塩を拡散剤とし、拡散剤の水溶液をZnO系結晶上に塗布し、乾燥によって固着させる工程S11と、拡散剤が固着されたZnO系結晶上にカバープレートを載置して拡散剤を覆う工程S12と、拡散剤がカバープレートによって覆われたZnO系結晶の熱処理を行ってI族元素をZnO系結晶中に拡散する工程S13と、を有している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

I族元素を構成元素として含有する炭酸塩を拡散剤とし、前記拡散剤の水溶液をZnO系結晶上に塗布し、乾燥によって固着させる工程と、 前記拡散剤が固着された前記ZnO系結晶上にカバープレートを載置して前記拡散剤を覆う工程と、 前記拡散剤が前記カバープレートによって覆われた前記ZnO系結晶の熱処理を行って前記I族元素を前記ZnO系結晶中に拡散する工程と、 を有することを特徴とするドーピング方法。

IPC (2件)：

C30B 29/16 ,  C30B 31/02

FI (2件)：

C30B29/16 ,  C30B31/02

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BB07 ,  4G077FA05 ,  4G077HA01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA11