特許
J-GLOBAL ID:201403085756413873

有機薄膜太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 川口 嘉之 ,  高田 大輔 ,  佐貫 伸一 ,  丹羽 武司 ,  香坂 薫 ,  下田 俊明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-147127
公開番号(公開出願番号):特開2014-011316
出願日: 2012年06月29日
公開日(公表日): 2014年01月20日
要約:
【課題】バリの発生に起因する短絡が抑制された、有機薄膜太陽電池素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板31と下部電極32が積層された積層体の下部電極32表面を、レーザー加工する工程、および、パターニングされた積層体の下部電極32表面を平滑化する工程、を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と下部電極が積層された積層体の下部電極表面をレーザー加工する工程、および、レーザー加工された積層体の下部電極表面を平滑化する工程、を有する有機薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (1件):
H01L 51/42
FI (1件):
H01L31/04 D
Fターム (12件):
5F151AA12 ,  5F151CB14 ,  5F151EA03 ,  5F151EA16 ,  5F151FA02 ,  5F151FA17 ,  5F151FA30 ,  5F151GA03 ,  5F151JA03 ,  5F151JA04 ,  5F151JA05 ,  5F151JA06

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