特許
J-GLOBAL ID：201403085889582848
配線基板、半導体装置、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-147389
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011335
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：
【課題】製造工程におけるハンドリング性の低下を抑制しつつも、半導体装置の薄型化を図ることができる配線基板及び半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板1は、接着剤層20と、接着剤層20の上面20Aに形成された配線層30と、接着剤層20の下面20Bに形成された支持基板10と、を有する。配線層30は、パッド31とボンディングパッド32とを有する。このパッド31の一部は、接着剤層20及び支持基板10の厚さ方向を貫通する貫通孔20Xから露出されている。また、支持基板10は、接着剤層20に剥離可能に接着されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
接着剤層と、
前記接着剤層の第1の面に形成された配線層と、
前記接着剤層の前記第1の面とは反対側の第2の面に形成された支持基板と、を有し、
前記配線層の一部は、前記接着剤層及び前記支持基板の厚さ方向を貫通する貫通孔から露出され、
前記支持基板は、前記接着剤層に剥離可能に接着されていることを特徴とする配線基板。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501C
, H01L23/12 501W
