特許
J-GLOBAL ID：201403085980514014
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-219795
公開番号（公開出願番号）：特開2014-057035
出願日： 2012年09月12日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】高電圧駆動素子の為のSiC基板において低コスト化が課題となっている。【解決手段】SiC結晶の使用量を最小限にするため、種基板に水素イオン注入層を形成しその表面とサファイア基板の上に形成したGaNの薄膜層の表面とを貼り合せ、その後種基板を剥離、分離する。サファイア基板のSiC薄膜上にエピタキシャル成長でSiC層を形成する。SiC層にMOSFET素子等を形成した後、素子面にガラス基板を紫外線剥離可能な材料を介して貼り合わせる。その後にサファイア基板とGaN層をレーザで除去し、SiC層の面をメタライズしてヒートシンクを貼りつけ、その状態でガラス面に紫外線を照射し、ガラス基板を除去する。これによりヒートシンク上にSiC素子が形成される。種基板は分離後表面を研磨し再利用できる。種基板の使用量は、水素イオンを注入した分と研磨に必要な分だけで極微量である。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
第1の化合物半導体を用いた半導体装置の製造方法であって、
第1の化合物半導体からなる種結晶基板の表層部にイオン注入を行うイオン注入工程と、
ベース基板又は該ベース基板の表面に第2の化合物半導体層を形成してなる基板又は該ベース基板の表面に第2の化合物半導体層と第1の薄膜層を形成してなる基板を第1基板とし、該第1基板の表面と、前記イオン注入工程によりイオン注入がされた前記表層部の表面と、を貼り合わせる第1接合工程と、
前記イオン注入工程によりイオン注入がされた前記表層部を種結晶基板から剥離させる切断工程と、
前記切断工程により剥離された前記第1の化合物半導体層に、P型領域及びN型領域の少なくとも1つ又はショットキー膜を形成すると共に電極を形成することによって半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、
前記半導体素子形成工程により形成された半導体素子の表面と、第2基板の表面とを貼り合わせる第2接合工程と、
前記第2接合工程の後に前記第1基板を除去する第1基板除去工程と、
前記第1基板除去工程により前記第1基板が除去された表面と第3の基板とを貼り合わせ、その後前記第2基板を除去する第2基板除去工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/329
, H01L 29/47
, H01L 29/872
H01L27/12 B
, H01L27/08 102E
, H01L29/78 658K
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652Q
, H01L29/48 P
, H01L29/48 F
4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104GG03
, 5F048AC06
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BA15
, 5F048BC01
, 5F048BC03
, 5F048BC12
