特許
J-GLOBAL ID:201403086090275272
チップ型ヒューズ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
木村 正俊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-268029
公開番号(公開出願番号):特開2014-116126
出願日: 2012年12月07日
公開日(公表日): 2014年06月26日
要約:
【課題】 ヒューズエレメントに硫化しやすい金属を使用しても、硫化物の形成を防止でき、保護層としてシリコン樹脂層を使用することを可能とする。【解決手段】 絶縁基板2に形成されたヒューズエレメントが、絶縁基板2の上面4上被着したニッケル層15と、このニッケル層15上に被着した銅層16と、この銅層16に接して銅層16及びニッケル層15とを被うニッケル層18とを有し、このヒューズ層に接して、シリコン樹脂層22がヒューズ層を被っている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一面に形成され、銅層と、この銅層に接して前記銅層を被うニッケル層とを有するヒューズ層と、
前記ヒューズ層に接して、前記ヒューズ層を被うシリコン樹脂層とを、
具備するチップ型ヒューズ。
IPC (2件):
H01H 85/055
, H01H 85/046
FI (2件):
Fターム (7件):
5G502AA01
, 5G502AA11
, 5G502BA08
, 5G502BB13
, 5G502BB17
, 5G502BD02
, 5G502CC04
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