特許
J-GLOBAL ID：201403086211309307
表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-173057
特許番号：特許第5401624号
出願日： 2013年08月23日
要約：
【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第1のゲート電極と
、第1のゲート電極上の第1の絶縁層と、第1の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第
2の絶縁層と、第2の絶縁層上の第2のゲート電極とを有し、第1のゲート電極は、第1
の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第2のゲート電極は、第2の絶縁層を
介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第2の絶縁層上に設けられ、第1の
領域は、第2のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域
のうちの、少なくとも一部の領域であり、第2の領域は、画素電極が設けられた領域のう
ちの、少なくとも一部の領域であり、第1の領域における第2の絶縁層は、第2の領域に
おける第2の絶縁層よりも薄い。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、第4の導電層と、第5の導電層と、酸化物半導体層と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、第3の絶縁層と、を有し、
前記第1の導電層は、トランジスタの第1のゲート電極となり、
前記第1の絶縁層は、前記第1の導電層と、前記酸化物半導体層との間に設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第1の絶縁層の表面に垂直な方向に沿うようにc軸配向した領域を有し、
前記第2の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方となり、
前記第3の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方となり、
前記第2の導電層と、前記第3の導電層とは、前記酸化物半導体層上方に形成された第1の導電膜を、エッチング加工する工程を経て形成されたものであり、
前記第2の絶縁層と、前記第3の絶縁層とは、前記第3の導電層と、前記第4の導電層との間に設けられ、
前記第4の導電層は、前記トランジスタの第2のゲート電極となり、
前記第4の導電層と、前記第5の導電層とは、第2の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり、
前記第5の導電層は、容量素子の一対の電極のうちの一方、及び、画素電極となり、
前記第1の導電層と重なる領域は、前記第2の絶縁層が設けられた領域であって、且つ、前記第3の絶縁層が設けられていない領域を有し、
前記容量素子の一対の電極のうちの他方と重なる領域は、前記第1の絶縁層と、前記第2の絶縁層と、が設けられた領域であって、且つ、前記第3の絶縁層が設けられていない領域を有することを特徴とする表示装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 617 S
, H01L 29/78 612 B
