特許

J-GLOBAL ID：201403086346257382

多接合型太陽電池

発明者： プラヴィン パテル ,  ベンジャミン チョウ
出願人/特許権者： エムコア ソーラー パワー インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-117666
公開番号（公開出願番号）：特開2013-254956
出願日： 2013年06月04日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：

【課題】少なくとも2つのInGaAs太陽電池サブセルを有するメタモルフィック多接合型太陽電池のAM0環境における性能を改善する。【解決手段】第1のバンドギャップ及び第1の短絡電流を有する第1の太陽電池サブセル3と、、第1のバンドギャップより大きい第2のバンドギャップ、及び第1の短絡電流より2%から6%までの範囲の量だけ大きい第2の短絡電流を有する第2の太陽電池サブセル5と、第2のバンドギャップより大きい第3のバンドギャップ、及び第1の短絡電流より2%から6%までの範囲の量だけ小さい第3の短絡電流を有する第3の太陽電池サブセル9と、第3のバンドギャップより大きい第4のバンドギャップ、及び第3の短絡電流より6%から10%までの範囲の量だけ小さい第4の短絡電流を有する第4の太陽電池サブセル13と、を含む多接合型太陽電池。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

InGaAsから構成され、第1のバンドギャップ及び第1の短絡電流を有する第1の太陽電池サブセルと、 前記第1の太陽電池サブセルの上に配置されたInGaAsから構成され、前記第1のバンドギャップより大きい第2のバンドギャップ、及び前記第1の短絡電流より2%から6%までの範囲の量だけ大きい第2の短絡電流を有する、第2の太陽電池サブセルと、 前記第2の太陽電池サブセルの上に配置されたGaAsから構成され、前記第2のバンドギャップより大きい第3のバンドギャップ、及び前記第1の短絡電流より2%から6%までの範囲の量だけ小さい第3の短絡電流を有する、第3の太陽電池サブセルと、 前記第3の太陽電池サブセルの上に配置されたInGaPから構成され、前記第3のバンドギャップより大きい第4のバンドギャップ、及び前記第3の短絡電流より6%から10%までの範囲の量だけ小さい第4の短絡電流を有する、第4の太陽電池サブセルと、 を含む多接合型太陽電池であって、 AM0宇宙環境における前記多接合型太陽電池の「寿命末期」状態において、各々のサブセルの短絡電流が実質的に同一になることを特徴とする多接合型太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (3件)：

5F151AA08 ,  5F151BA18 ,  5F151DA16