特許
J-GLOBAL ID:201403086512658749
接合体、パワーモジュール用基板、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 増井 裕士
, 細川 文広
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-052408
公開番号(公開出願番号):特開2014-177031
出願日: 2013年03月14日
公開日(公表日): 2014年09月25日
要約:
【課題】アルミニウム部材と、銅、ニッケル、銀のいずれかからなる金属部材とが良好に接合され、ヒートサイクルが負荷された際に接合部におけるクラックの発生を抑制でき、接合信頼性が良好な接合体、パワーモジュール用基板、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】アルミニウム部材と金属部材との接合部には、前記金属部材側に位置するTi層15と、前記Ti層と前記アルミニウム部材との間に位置し、Al3TiにSiが固溶したAl-Ti-Si層と、が形成されており、前記Al-Ti-Si層は、前記Ti層側に形成された第一Al-Ti-Si層と、前記アルミニウム部材側に形成され前記第一Al-Ti-Si層よりもSi濃度が低い第二Al-Ti-Si層と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
アルミニウムからなるアルミニウム部材と、銅、ニッケル、又は銀からなる金属部材とが接合された接合体であって、
前記アルミニウム部材と前記金属部材との接合部には、
前記金属部材側に位置するTi層と、
前記Ti層と前記アルミニウム部材との間に位置し、Al3TiにSiが固溶したAl-Ti-Si層と、が形成されており、
前記Al-Ti-Si層は、
前記Ti層側に形成された第一Al-Ti-Si層と、
前記アルミニウム部材側に形成され前記第一Al-Ti-Si層よりもSi濃度が低い第二Al-Ti-Si層と、を備えていることを特徴とする接合体。
IPC (4件):
B32B 15/01
, H01L 23/12
, H01L 23/36
, B23K 20/00
FI (5件):
B32B15/01 G
, H01L23/12 J
, H01L23/36 C
, B23K20/00 310L
, B23K20/00 310M
Fターム (26件):
4E167AA06
, 4E167AA08
, 4E167AA09
, 4E167AA10
, 4E167AA21
, 4E167AB01
, 4E167AD03
, 4E167BA02
, 4E167BA05
, 4E167BA09
, 4E167CA21
, 4E167CB01
, 4E167DA05
, 4F100AB01E
, 4F100AB10A
, 4F100AB12D
, 4F100AB31B
, 4F100AB31C
, 4F100AB33
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100GB41
, 4F100JK14
, 4F100JL11
, 4F100YY00C
, 5F136BB04
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (1件)
-
絶縁基板用クラッド材
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-249561
出願人:昭和電工株式会社
前のページに戻る