特許

J-GLOBAL ID：201403086569024118

エッチング方法

発明者： ▲高▼島 隆一 ,  大矢 欣伸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 大山 浩明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-144614
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011191
出願日： 2012年06月27日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：

【課題】垂直性の高いエッチングパターンの金属マスクを形成し,それをマスクとして半導体をエッチングすることで,垂直性の高いエッチング形状を形成する。【解決手段】エッチングパターンを反転させた反転パターンがパターニングされたレジスト膜を半導体上に形成し(レジスト膜形成工程S100),レジスト膜の反転パターンに金属ペーストを充填し(金属ペースト充填工程S200),加熱制御することにより,金属ペーストを焼成しながらレジスト膜を除去することによってエッチングパターンの金属マスクを形成し(金属マスク形成工程S300),その金属マスクを用いて半導体をプラズマエッチングする(エッチング工程S400)。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

エッチングパターンがパターニングされた金属マスクを用いて半導体をエッチングするエッチング方法であって, 前記エッチングパターンを反転させた反転パターンがパターニングされたレジスト膜を前記半導体上に形成するレジスト膜形成工程と, 前記レジスト膜の反転パターンに金属ペーストを充填する金属ペースト充填工程と, 加熱制御することにより,前記金属ペーストを焼成しながら前記レジスト膜を除去することによって前記エッチングパターンの金属マスクを形成する金属マスク形成工程と, 前記金属マスクを用いて前記半導体をプラズマエッチングするエッチング工程と, を含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 105A

Fターム (10件)：

5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004EA05 ,  5F004EA15